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近期，英飛凌infineon發布1200V-Plus系列IGBT單管產品，在工業應用領域有著深遠的意義。英飛凌infineon的 Plus系列在原來經典的TO-247封裝內，把安裝孔去掉，封裝了更大的芯片，不但電流能力變大，基板的散熱能力也得到很大的提高，在去年英飛凌infineon發布的600V-Plus系列的最大電流已經能做到120A，而英飛凌infineon剛剛發布的1200V-Plus系列的最大電流達到了75A。在越來越追求功率密度的時代，這無疑是對UPS設計者是一個福音，將幫助UPS設計工程師大幅的提高UPS的功率密度。
SiC-MOSFET的應用已經成為趨勢，近期英飛凌infineon也推出了1200V-SiC-MOSFET，電流能力從45mΩ的TO-247封裝到11mΩ的Easy封裝，能夠大大增加UPS設計的系統功率密度，提升系統效率，對于UPS產業是一個革命性轉變。
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